MORFOLOGI FILM TIPIS HETEROEPITAXI GASB/GAAS YANG DITUMBUHKAN DENGAN MOCVD

Motlan, (1999) MORFOLOGI FILM TIPIS HETEROEPITAXI GASB/GAAS YANG DITUMBUHKAN DENGAN MOCVD. Jurnal Pendidikan Science (01). pp. 13-19. ISSN 0853-3792

[img]
Preview
Text
Morfologi film tipis heteroepitaxi GaSb GaAs yang ditumbuhkan dengan MOCVD.pdf - Published Version

Download (481kB) | Preview

Abstract

Pada penelitian ini kami mencaba membuat film berskala nanometer yang ditumbuhkan pada substrat GaAs dengan menggunakan MOCVD. Untuk menganalisa morfologi tersebut digunakan atomic force microscopy. Film tipis ditumbuhkan dengan menggunakan TMSb dan TMGa sebagai precursor dengan kecepatan plow masing-masing 20 sccm dan temperatur substrat sebesar 540C. Film ditumbuhkan dengan lama deposisi 2 detik. Dari penelitian ini diperoleh film tipis yang terdiri dari pulau kecil (island) yang berdimensi rata-rata 205 x 109 x 5 nm, masing-masing panjang, lebar dan tinggi rata-rata dari island tersebut. Densitas dari island sebesar 6,3 x 10 m. GaSb berskala nanometer sangat menarik unutk diteliti karena dapat diaplikasikan pada perangkat optoeletronika seperti semikonduktor laser yang mempunyai efisiensi yang tinggi.

Item Type: Article
Keywords: Laser
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Depositing User: Mrs Siti Nurbaidah
Date Deposited: 31 Mar 2016 02:52
URI: http://digilib.unimed.ac.id/id/eprint/105

Actions (login required)

View Item View Item